| 发明名称 | 基板处理方法和基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与第1工序相比减压后的处理室（21）内使反应生成物气化，第1工序和第2工序反复进行两次以上。通过将第1工序和第2工序反复进行两次以上，从而使Si系膜的去除率变高并提高生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN103081071B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201180037820.2 | 申请日期 | 2011.08.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 宇贺神肇;户泽茂树 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种用于将收纳于处理室内的基板表面的Si系膜去除的基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在上述处理室内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与上述第1工序相比减压后的上述处理室内使上述反应生成物气化，上述第1工序和上述第2工序反复进行两次以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||