用于薄膜晶体管的通过原子层沉积进行的金属氧化物层组成控制

摘要

本发明提供用于衬底上的薄膜晶体管TFT装置的系统、方法和设备。在一个方面中，所述TFT装置包含栅极电极、氧化物半导体层，以及在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘体。所述氧化物半导体层包含至少两种金属氧化物，其中所述两种金属氧化物在所述氧化物半导体层的下表面与上表面之间相对于彼此具有变化的浓度。所述TFT装置还包含邻近于所述氧化物半导体层的一部分的源极金属和邻近于所述氧化物半导体层的另一部分的漏极金属。所述氧化物半导体层的组成可通过使用原子层沉积ALD的顺序沉积技术来精确控制。

主权项

一种薄膜晶体管TFT装置，其包括：栅极；作用层，所述作用层具有源极区、漏极区和沟道区，其中所述沟道区在所述源极区与所述漏极区之间，且其中所述作用层包含至少两种金属氧化物，所述至少两种金属氧化物在所述作用层的下表面与上表面之间相对于彼此具有变化的浓度；栅极绝缘体，其在所述作用层与所述栅极之间；源极金属，其邻近于所述作用层的所述源极区；及漏极金属，其邻近于所述作用层的所述漏极区。