发明名称 | 低功耗存储器 | ||
摘要 | 一种低功耗存储器,包含多个存储器元件、一个读取位元线单元,及多个二态高阻抗缓冲器。该读取位元线单元包括多个第一读取位元线及一个第二读取位元线,每一个第一读取位元线电连接至少一个存储器元件。每一个二态高阻抗缓冲器的输入端及输出端分别电连接其中一个第一读取位元线及该第二读取位元线,且其输出为高阻抗状态及一种电平状态其中一个。通过设置该二态高阻抗缓冲器,并将所述存储器元件电连接所述第一读取位元线后经该缓冲单元输出至该第二读取位元线,不需感测放大器即能正常运作,且能大幅下降耗电量,并提高操作频率。 | ||
申请公布号 | CN104951411A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
申请号 | CN201410243163.2 | 申请日期 | 2014.06.03 |
申请人 | 萧志成 | 发明人 | 萧志成 |
分类号 | G06F13/16(2006.01)I | 主分类号 | G06F13/16(2006.01)I |
代理机构 | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人 | 张雅军 |
主权项 | 一种低功耗存储器,包含:一个存储器单元及一个读取位元线单元;该存储器单元包括多个存储器元件;该读取位元线单元,包括多个间隔排列且互不电连接的第一读取位元线,及一个第二读取位元线,每一个第一读取位元线电连接至少一个存储器元件;其特征在于:该低功耗存储器还包含一个缓冲单元;该缓冲单元包括多个三态缓冲器,每一个三态缓冲器具有一个电连接其中一个第一读取位元线的输入端、一个电连接该第二读取位元线的输出端,及一个控制端,并受控制而于导通与不导通间切换。 | ||
地址 | 中国台湾台中市 |