对至少一个多级相变存储器单元进行编程

摘要

提供了一种方法，包括以下步骤：通过流向PCM单元的至少一个电流脉冲将所述PCM单元编程为具有相应确定单元状态，所述相应确定单元状态至少由相应确定电阻级别限定；通过相应位线脉冲和相应字线脉冲控制相应电流脉冲；以及根据所述PCM单元的实际电阻值和针对所述确定电阻级别限定的相应参考电阻值来控制所述相应位线脉冲和所述相应字线脉冲。

主权项

一种用于对可通过第一端子和第二端子控制的至少一个多级相变存储器PCM单元进行编程的方法，包括：通过施加于所述PCM单元的至少一个电流脉冲将所述PCM单元编程为具有相应确定单元状态，所述相应确定单元状态至少由相应确定电阻级别限定；通过施加于所述第一端子的相应第一脉冲和施加于所述第二端子的相应第二脉冲来控制所述相应电流脉冲；根据所述PCM单元的实际电阻值和针对所述确定电阻级别限定的相应参考电阻值来控制所述相应第一脉冲和所述相应第二脉冲；将所述PCM单元的最低与最高电阻值之间的电阻窗口的至少一部分分成多个不同电阻范围；分别将所述不同电阻范围与不同编程轨迹关联，所述不同编程轨迹分别由不同字线脉冲或不同位线脉冲来限定；将相应确定电阻级别映射到所述不同电阻范围之一，所映射的不同电阻范围具有关联的编程轨迹；以及对所述PCM单元应用迭代编程以便使用位线脉冲或字线脉冲以及与所述相应确定电阻级别所映射到的电阻范围关联的所述编程轨迹来获得所述相应确定电阻级别。