提高射频SIM卡在不同手机中性能一致性的装置及方法

摘要

一种提高射频SIM卡在不同手机中性能一致性的装置，包括天线，非接触前端芯片，简称为CLF芯片和安全模块芯片，其特点在于所述的CLF芯片包括射频发射电路，增设阻抗匹配网络和电压幅值检测及判决电路，所述的电压幅值检测及判决电路对所述的射频发射电路的输出信号幅值进行检测，所述的阻抗匹配网络由等值的电容构成。本发明在CLF芯片中增加以电容阵列形式构成的阻抗匹配网络，增加自动检测电路，通过上电后的发射信号幅度检测，以幅度最大值对应的网络参数作为最终参数，将不同手机中射频发射电路的发射功率调整到最大，从而降低手机环境改变对射频SIM卡无线通信性能的影响。

主权项

一种利用提高射频SIM卡在不同手机中性能一致性的装置进行性能一致性的调整方法，该装置包括天线(101)，非接触前端芯片，简称为CLF芯片(102)和安全模块芯片(103)，所述的CLF芯片(102)包括射频发射电路(104)，增设阻抗匹配网络(106)和电压幅值检测及判决电路(105)，所述的电压幅值检测及判决电路(105)对所述的射频发射电路(104)的输出信号幅值进行检测，所述的阻抗匹配网络(106)由等值的电容构成；其特征在于，上电后所述的电压幅值检测及判决电路(105)对所述的射频发射电路(104)的输出的发射信号幅度进行检测，判断天线感值的变化，并根据天线的实际感值选择合适的网络参数，自适应地以幅度最大值对应的阻抗匹配网络(106)参数作为最终参数，使射频发射电路发射的功率最大化，所述的电压幅值检测及判决电路(105)根据天线的实际感值选择合适的网络参数是采用二分法自动搜索最佳匹配电容，具体方法如下：第一步，搜索范围β₂∈[‑0.5,0.7]，β₂取搜索范围中的最小值‑0.5，记录此时的电压幅值为V₁；第二步，β₂取搜索范围中的最大值0.7，记录此时的电压幅值V₂；第三步，电压幅值检测及判决电路(105)比较V₁和V₂，如果V₁大于V₂，此时缩窄搜索范围为β₂∈[‑0.5,0.1]，同时令最大幅值V_max＝V₁；如果V_max等于V₂，此时缩窄搜索范围为β₂∈[0.1]，同时令最大幅值V_max＝V₁；如果V₁小于V₂，此时缩窄搜索范围为β₂∈[0.1,0.7]，同时令最大幅值V_max＝V₂；第四步，根据第一步到第三步中确定的新的β₂搜索范围，β₂取其中的最小值，记录此时的电压幅值为V_A；第五步，根据第一步到第三步中确定的新的β₂搜索范围，β₂取其中的中间值，记录此时的电压幅值为V_B；第六步，根据第一步到第三步中确定的新的β₂搜索范围，β₂取其中的最大值，记录此时的电压幅值为V_C；第七步，令本次搜索的最大幅值V_max＝max(V_A,V_B,V_C)，并将新的β₂缩窄范围更改为为β₂∈[V_B所对应的β₂取值,max(V_A,V_C)所对应的β₂取值]；重复第四步到第七步，直到β₂的取值范围只剩下唯一一个值为止，此时获得的β_2,final称为二分法搜索后的最优系数，其对应的电容值C＝C₀(1+β_2,final)，其中C₀为电容的基准值，即为匹配网络调整结束后CLF芯片实际工作时使用的电容网络参数。