一种MEMS器件结构的制作方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件结构的制作方法，包括步骤：1）提供表面形成有微结构区、金属键合层、以及金属焊盘的第一半导体衬底，及表面具有环形凸起的第二半导体衬底；2）去除所述金属键合层及金属焊盘表面的金属氧化层；3）进行键合工艺；4）对环形凸起外围的第二半导体衬底进行切割，并在切割道中保留预设厚度的半导体层；5）于第二半导体衬底表面粘贴黏性薄膜；6）将切割道中保留的半导体层压断，并撕去所述黏性薄膜，以将断裂后的第二半导体衬底去除。本发明通过切割工艺、贴膜工艺及滚轮滚压工艺实现了MEMS器件键合衬底的切割，可以有效地避免切割过程半导体颗粒被金属焊盘吸附而导致被腐蚀的缺陷。本发明工艺简单，适用于工业生产。

主权项

一种MEMS器件结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）提供第一半导体衬底及第二半导体衬底，所述第一半导体衬底表面形成有微结构区、包围于所述微结构区的金属键合层、以及位于所述金属键合层外围的金属焊盘，所述第二半导体衬底表面具有可与所述金属键合层形成密封配合的环形凸起；2）采用预清洗工艺去除所述金属键合层及金属焊盘表面的金属氧化层；3）藉由所述金属键合层及环形凸起键合所述第一半导体衬底及第二半导体衬底；4）对所述环形凸起外围的第二半导体衬底进行切割，并在切割道中保留预设厚度的半导体层；5）于所述第二半导体衬底表面粘贴黏性薄膜；6）将切割道中保留的半导体层压断，并撕去所述黏性薄膜，以将断裂后的第二半导体衬底去除。