| 发明名称 | 制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法，其包含以下步骤：提供半导体积层或异质基板；以及在该半导体积层或该异质基板上形成平台。与一般Si和GaAs材料相比，宽能隙具材料(三氮化合物)有较佳的电子特性，因而操作稳定性和对温度的灵敏度低；非常具有适用于高功率电子的应用。本发明开发出垂直式氮化镓高功率元件提供反向击穿电压超过600V以上、较低的导通电组5-mΩ-cm<sup>2</sup>一下和顺向电流高达3-A/mm<sup>2</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN104952728A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410116140.5 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 郑克勇 | 发明人 | 黄智方;张庭辅;刘格成;曾裕誊;邱绍谚 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 张德斌 |
| 主权项 | 一种制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法，其包含以下步骤：提供半导体积层或异质基板；以及在该半导体积层或该异质基板上形成平台。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||