发明名称 NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA READ-OUT METHOD
摘要 <p>본 발명은 데이터의 독출을 고속으로 행할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리를 제공하는 것을 과제로 한다. 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 플래시 메모리는, 메모리 어레이의 선택된 페이지의 데이터를 보유하는 페이지 버퍼(170)와, 페이지 버퍼에 보유된 데이터를 출력하는 열 선택 회로(180)를 포함한다. 페이지 버퍼(170)는 메모리 어레이의 페이지로부터의 데이터를 수취하는 제1 데이터 레지스터(L1)와, 제1 데이터 레지스터(L1)로부터 전송된 데이터를 수취하는 제2 데이터 레지스터(L2)와, 제1 데이터 레지스터(L1)와 제2 데이터 레지스터(L2) 사이에 설치된 전송 게이트(TG)를 구비한다. 전송 게이트(TG)는, 제2 데이터 레지스터(L2)의 제1부분의 데이터가 출력되고 있는 사이에, 제1 데이터 레지스터(L1)의 제2부분의 데이터가 제2 데이터 레지스터(L2)에 전송되고, 제2 데이터 레지스터(L2)의 제2부분의 데이터가 출력되고 있는 사이에, 제1 데이터 레지스터(L1)의 제1부분의 데이터가 제2 데이터 레지스터(L2)에 전송되도록 데이터 전송을 제어한다.</p>
申请公布号 KR101556392(B1) 申请公布日期 2015.09.30
申请号 KR20130099077 申请日期 2013.08.21
申请人 发明人
分类号 G11C16/26 主分类号 G11C16/26
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利