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一种制备软X射线遮光膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：A.制备聚酰亚胺薄膜；B.利用微电铸方法在所述聚酰亚胺薄膜上制备镍网；C.在附有所述镍网的聚酰亚胺薄膜上蒸镀铝层，其中，制备聚酰亚胺薄膜包括以下步骤：a.利用二酐与二胺在非质子极性溶剂中制备聚酰胺酸溶液；b.提供一基板，旋涂所述聚酰胺酸溶液于所述基板上形成聚酰胺酸薄膜；c.将所述聚酰胺酸薄膜高温环化为聚酰亚胺薄膜，其中在将所述聚酰胺酸薄膜高温环化为聚酰亚胺薄膜前，先在80℃条件下烘20分钟，以烘干大部分溶剂，其中，利用微电铸方法在所述聚酰亚胺薄膜上制备镍网包括以下步骤：d.在所述聚酰亚胺薄膜上涂覆厚度第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述镍网图案互补；e.在所述聚酰亚胺薄膜及第一光刻胶层表面上镀导电种子层；f.去除所述第一光刻胶层及覆盖在所述第一光刻胶层表面上的导电种子层，剩余的所述导电种子层与所述镍网图案一致；g.在所述聚酰亚胺薄膜及所述导电种子层上涂覆第二光刻胶层；h.去除导电种子层上的第二光刻胶层；i.在裸露的导电种子层上进行微电铸镍网，所述镍网厚度不超过第二光刻胶层；j.去除所述聚酰亚胺薄膜上残留的第二光刻胶层；k.去除所述基板，其中，所述二胺包含4,4’‑二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4’‑二氨基二苯砜及其混合物中的一种；二酐包含均苯四酸二酐、3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’‑二苯甲酮四羧酸二酐以及混合物中的一种；所述非质子极性溶剂包含N，N‑二甲基甲酰胺、N，N‑二甲基乙酰胺或N‑甲基‑2‑吡咯烷酮；所述基板包括硅片、石英片或玻璃片；所述高温环化的温度为350‑400℃，时间为4小时。 |
