硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门

摘要

本发明的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管和一个电阻构成，该NMOS管的源极接地，两个悬臂梁栅极作为信号的输入端，漏极都与电阻相接，电阻与电源电压相接；该或非门制作在P型硅衬底上，下拉电极在悬臂梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；该或非门所用的悬臂梁栅MOSFET的栅极并不是直接紧贴在二氧化硅层上方，而是依靠锚区的支撑悬浮在二氧化硅层上方；悬臂梁栅的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等，当该或非门工作时，当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态，降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。

主权项

一种硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门，其特征是该或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管(1)、电阻(2)和电源组成，该硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管(1)制作在P型Si衬底(3)上，有两个用Al制作而成的对称设计的悬臂梁栅(6)分别依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方，两个悬臂梁栅(6)的悬浮端之间留有一缝隙以保证两个悬臂梁栅(6)下拉时互不干扰，两个悬臂梁栅(6)的位置关于该MOS管源‑漏方向对称，悬臂梁栅(6)的锚区(7)用多晶硅制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，下拉电极板(8)接地，下拉电极(8)在悬臂梁栅(6)下的部分被二氧化硅层(5)覆盖，该双悬臂梁可动栅NMOS管(1)的N+有源区的源极(10)接地，N+有源区的漏极(11)通过电阻(2)与电源VCC相连，源极(10)和漏极(11)通过通孔(9)与引线(4)连接，引线(4)用Al制作，两路输入信号分别在双悬臂梁可动栅NMOS管(1)的两个悬臂梁栅(6)输入，输出信号在该双悬臂梁可动栅NMOS管(1)的漏极(11)和电阻(2)之间输出，电阻(2)的阻值远大于该MOS管导通的阻抗，从而保证在MOS管导通时输出为低电平。