发明名称 半导体器件、半导体层叠模块构造、层叠模块构造以及它们的制造方法
摘要 本发明提供即使是尺寸不同的LSI芯片也能容易地垂直层叠的半导体器件、半导体层叠模块构造、层叠模块构造及它们的制造方法。半导体器件包括:绝缘性基板;安装在一方主面上的半导体元件;将元件电路面上及绝缘性基板上密封的第一绝缘材料层A;设置在第一绝缘材料层A上的第一金属薄膜布线层;设置在第一金属薄膜布线层上的第一绝缘材料层B;设置在另一方主面上的第二绝缘材料层;设置在第二绝缘材料层内的第二金属薄膜布线层;将第一金属薄膜布线层和第二金属薄膜布线层电连接的通过部;形成在第一金属薄膜布线层上的外部电极,将第二金属薄膜布线层、配置在半导体元件的元件电路面的电极、第一金属薄膜布线层、通过部以及外部电极电连接。
申请公布号 CN104952858A 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201410111056.4 申请日期 2014.03.24
申请人 株式会社吉帝伟士 发明人 井上广司;胜又章夫;泽地茂典;山方修武
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 徐健;段承恩
主权项 一种半导体器件,其特征在于,包括:绝缘性基板;半导体元件,以元件电路面为上方,经由粘接层安装在所述绝缘性基板的一方主面上;第一绝缘材料层(A),对所述半导体元件的元件电路面上及其周边的所述绝缘性基板上进行密封;第一金属薄膜布线层,设置在所述第一绝缘材料层(A)上,一部分露出于外部表面;第一绝缘材料层(B),设置在所述第一金属薄膜布线层上;第二绝缘材料层,设置在所述绝缘性基板的未安装半导体元件的主面上;第二金属薄膜布线层,设置在所述第二绝缘材料层内,一部分露出于外部表面;通过部,贯通所述绝缘性基板,将所述第一绝缘树脂层(A)内的第一金属薄膜布线层和第二金属薄膜布线层电连接;以及外部电极,形成在所述第一金属薄膜布线层上;所述半导体器件具有将所述第二金属薄膜布线层、配置于所述半导体元件的元件电路面的电极、所述第一金属薄膜布线层、所述通过部、以及形成在所述第一金属薄膜布线层上的外部电极电连接的构造。
地址 日本大分县