发明名称 阶跃高斯复合型掺杂离子浓度分布增益光纤
摘要 阶跃高斯复合型掺杂离子浓度分布增益光纤属于光纤激光技术领域。现有技术在增益光输出中基模光功率比例不高。本发明之阶跃高斯复合型掺杂离子浓度分布增益光纤为一种大芯径多模光纤,具有双包层结构,在纤芯掺杂半径R'<sub>1</sub>内掺杂稀土离子,其特征在于,掺杂离子浓度N其分布划分为两个区域,纤芯半径R<sub>1</sub>范围内的0~R<sub>0</sub>圆形区域为阶跃区,R<sub>0</sub>为阶跃区半径,R<sub>0</sub>&lt;R'<sub>1</sub>,在阶跃区内掺杂离子浓度N分布为阶跃型,掺杂离子浓度N为最大值N<sub>max</sub>;纤芯半径R<sub>1</sub>范围内的R<sub>0</sub>~R'<sub>1</sub>圆环区域为高斯区,在高斯区内掺杂离子浓度N分布为高斯型,掺杂离子浓度N由下式决定:<img file="DDA0000447297240000011.GIF" wi="736" he="196" />式中:r为所述增益光纤的光纤半径。
申请公布号 CN103728691B 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201310739272.9 申请日期 2013.12.26
申请人 长春理工大学 发明人 马晓辉;金亮;邹永刚;徐莉;张贺
分类号 G02B6/036(2006.01)I 主分类号 G02B6/036(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 陶尊新
主权项 一种阶跃高斯复合型掺杂离子浓度分布增益光纤,为一种大芯径多模光纤,具有双包层结构,在纤芯(1)掺杂半径R'<sub>1</sub>内掺杂稀土离子,其特征在于,掺杂离子浓度N其分布划分为两个区域,纤芯半径R<sub>1</sub>范围内的0~R<sub>0</sub>圆形区域为阶跃区,R<sub>0</sub>为阶跃区半径,R<sub>0</sub>&lt;R'<sub>1</sub>,在阶跃区内掺杂离子浓度N处处均为相同的掺杂离子浓度最大值N<sub>max</sub>;纤芯半径R<sub>1</sub>范围内的R<sub>0</sub>~R'<sub>1</sub>圆环区域为高斯区,在高斯区内掺杂离子浓度N分布为高斯型,掺杂离子浓度N由下式决定:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>N</mi><mrow><mo>(</mo><mi>r</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><msub><mi>N</mi><mrow><mi>m</mi><mi>a</mi><mi>x</mi></mrow></msub><mo>&CenterDot;</mo><mi>exp</mi><mo>&lsqb;</mo><mo>-</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mi>r</mi><mo>-</mo><msub><mi>R</mi><mn>0</mn></msub></mrow><mrow><msubsup><mi>R</mi><mn>1</mn><mo>&prime;</mo></msubsup><mo>-</mo><msub><mi>R</mi><mn>0</mn></msub></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mn>2</mn></msup><mo>&rsqb;</mo><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000752729850000011.GIF" wi="736" he="193" /></maths>式中:r为所述增益光纤的光纤半径。
地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
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