| 发明名称 | 一种发光器件及其对应设备、制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件及其对应设备、制备方法，用于解决现有技术中存在的主动发光显示器的像素受制于工艺瓶颈不能进一步提高的技术问题。该方法，包括：在衬底上外延生长n型氮化镓GaN层；在所述n型GaN层上生长罩幕层；在所述罩幕层上制备纳米孔洞；在所述纳米孔洞内生长量子点发光层；在所述量子点发光层上生长P型GaN层；从所述n型GaN层引出底电极，从所述P型GaN层引出顶电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104934460A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410100941.2 | 申请日期 | 2014.03.18 |
| 申请人 | 联想（北京）有限公司 | 发明人 | 龙浩 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种发光器件的制备方法，包括：在衬底上外延生长n型氮化镓GaN层；在所述n型GaN层上生长罩幕层；在所述罩幕层上制备纳米孔洞；在所述纳米孔洞内生长量子点发光层；在所述量子点发光层上生长P型GaN层；从所述n型GaN层引出底电极，从所述P型GaN层引出顶电极。 | ||
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地创业路6号 | ||