一种宽光强适用范围二氧化纳米管阵列复合光阳极的制备方法

摘要

本发明公开了一种宽光强适用范围二氧化纳米管阵列复合光阳极的制备方法，将阳极氧化后的钛箔经无机半导体In₂S₃的敏化及染料敏化剂N719的敏化处理获得N719/In2S3/在二氧化钛纳米管阵列/Ti基底的复合光阳极。本方法制备的无机半导体共敏化二氧化纳米管阵列光阳极光电性能得到大幅度的提高。本发明使用的材料丰富，条件要求低，设备简单，获得的产品稳定，常温下可长久保存。

主权项

一种宽光强适用范围二氧化纳米管阵列复合光阳极的制备方法，其具体作法是：a、钛箔的片理钛箔栽剪打磨，用粗砂纸先进行去除表面层的杂质和氧化物，再用细砂纸进行磨平光滑，经水洗后醇洗，冷风干燥；b、二氧化钛纳米管阵列的合成以a所得为钛箔氧化反应的阳极为，铂片为阴极，极板距离固定值3cm；将装好的阴阳极放入到0.25wt％NH₄F的乙二醇溶液中，加上60V的稳定直流电压，电流调到xx，在室温条件下进行阳极氧化，取出的样品去离子水冲洗后用超声辅助清洗，干燥，再450℃保温处理三个半小时；c、无机半导体In₂S₃的敏化将b获得的二氧化钛纳米管阵列退火后依次浸入到0.1M InCl₃·4H₂O的水溶液、去离子水、浓度为0.15M的Na₂S·9H₂O的水溶液、去离子水不同的溶液环境中，每个溶液环境停留时间为30s；经多次循环，在二氧化钛纳米管阵列的表面沉积上三硫化二铟；沉积完的样品由冷风吹干，在氩气或真空下无氧环境下330℃保温处理30分钟；d、染料敏化剂N719的敏化将c步骤获得的样品浸入染料溶液中，获得N719/In₂S₃/在二氧化钛纳米管阵列/Ti基底的复合光阳极目标产物。