| 发明名称 | 结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法。本发明提供通过包含碱化合物和特定溶解度指数的化合物与碱金属(盐)的反应物，控制在结晶性硅片的表面形成微细锥形体结构时的相对于硅结晶方向的蚀刻速度差，防止碱化合物引起的过蚀刻，从而使不同位置的纹理的品质偏差最小化，使光效率增加的结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104928680A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510123035.9 | 申请日期 | 2015.03.20 |
| 申请人 | 东友精细化工有限公司 | 发明人 | 林大成;洪亨杓;李承洙 |
| 分类号 | C23F1/40(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) 11458 | 代理人 | 李波;武媛 |
| 主权项 | 一种结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物，其特征在于，包含：碱化合物(A)，和含有羟基、汉森溶解度参数(δp)为8.0～12.0[J/cm<sup>3</sup>]<sup>1/2</sup>的化合物(b‑1)与碱金属(盐)(b‑2)的反应物(B)。 | ||
| 地址 | 韩国全罗北道 | ||