一种高热导率无压烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高热导率无压烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法，它由以下质量百分比的原料组成：碳化硅75～95wt.％，石墨烯0.5～10wt.％，表面活性剂1～3wt.％，分散剂0.5～2.5wt.％，粘结剂2～10wt.％，碳化硼0.5～3.5wt.％，本发明通过碳化硅、石墨烯、碳化硼之间的特定配比，压制成坯体，真空条件下无压烧结，制得SiC陶瓷材料，石墨烯均匀分布于SiC基体材料中，并与SiC形成紧密结合，避免了材料内部气孔对声子散射导致的热导率降低抵消并超过引入石墨烯对热导率提高的作用，既保证了陶瓷材料的致密化，同时又达到较高的热导率，保证了材料均匀一致。

主权项

一种高热导率无压烧结碳化硅陶瓷材料，由以下质量百分比的原料组成：碳化硅75～95wt.%，石墨烯0.5～10wt.%，表面活性剂1～3wt.%，分散剂0.5～2.5wt.%，粘结剂2～10wt.%，碳化硼0.5～3.5wt.%，各组分质量百分比之和为100%；上述原料经混合、成型、真空条件下于温度2050‑2200℃烧结1～5小时，制得。