| 发明名称 | 一种提高晶圆间键合强度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积氧化硅层和无定形硅层；执行激光退火步骤；进行化学机械平坦化步骤；执行热键合步骤。根据本发明的制造工艺在BSI器件晶圆键合面上采用激光退火方法对等离子沉积氧化硅层进行致密化处理，能有效避免器件晶圆热损伤缺陷的产生，生成氧化物层的致密性高，可提高晶圆间键合强度。 | ||
| 申请公布号 | CN104934292A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410097889.X | 申请日期 | 2014.03.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张先明;丁敬秀;陈福成 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积氧化硅层和无定形硅层；执行激光退火步骤；进行化学机械平坦化步骤；执行热键合步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||