发明名称 一种低电荷泄露的四支路电荷泵
摘要 本发明涉及一种低电荷泄露的四支路电荷泵,包括电荷泵,电荷泵分别与偏置电路模块、时钟产生模块相连接,电荷泵中所用开关均为传输门开关。本发明在传统电荷泵的核心电路进行改进,采用传输门开关代替传统的单管开关,以降低电荷泄漏对电荷泵性能的影响;并采用相同的四路开关支路并加入单位增益缓冲器,以提高充放电流匹配、抑制电荷分享,使得电荷泵输出稳定、高精度的电压信号。
申请公布号 CN104935163A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201510299117.9 申请日期 2015.06.03
申请人 西安电子科技大学 发明人 李迪;柴常春;房涛;石佐辰;王瑜;麻向平;杨银堂
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人 杨文录
主权项 一种低电荷泄露的四支路电荷泵,其特征在于:包括电荷泵,电荷泵分别与偏置电路模块、时钟产生模块相连接,电荷泵包括晶体管M1、M2,晶体管M1、M2的源极分别与电源电压相连接,晶体管M1、M2的源极相连且连接至偏置电路模块的偏置电压输出端Vb1,晶体管M1的漏极分两路分别连接开关phi1c、phi1d的一端,开关phi1d的另一端分三路分别连接运算放大器OPA2的输出端、运算放大器OPA2的反向输入端以及开关phi2d的一端;开关phi1c的另一端分三路分别连接运算放大器OPA2的正向输入端、运算放大器OPA1的正向输入端以及开关phi2c的一端;开关phi2c、phi2d的另一端相连接并连接至晶体管M3的漏极,晶体管M3的源极接地;晶体管M2的漏极分两路分别连接开关phi1a、phi1b的一端;开关phi1b的另一端分两路分别连接运算放大器OPA1的正向输入端、开关phi2b的一端;开关phi1a的另一端分两路分别连接运算放大器OPA1的反向输入端、开关phi2a的一端;开关phi2a、phi2b的另一端相连接并连接至晶体管M4的漏极;晶体管M4、M3的栅极相连接并连接至运算放大器OPA1的输出端,晶体管M3、M4的源极分别接地;开关phi1a、phi2a之间的连接接点分两路分别连接电容C<sub>P</sub>的一端、电阻R1的a端,电阻R1的b端连接电容C1,电容C1、C<sub>P</sub>的另一端相连接并接地,电阻R1的a端为电荷泵的电压输出端Vout。
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