半导体器件

摘要

本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

主权项

一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括：位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区；所述沟道形成区插入其间的杂质区；位于所述沟道形成区上的第一栅绝缘层；位于所述第一栅绝缘层上的第一栅电极；以及电连接至所述杂质区的第一源电极和第一漏电极；位于所述第一晶体管上的绝缘层；以及位于所述绝缘层上的第二晶体管，该第二晶体管包括：位于所述衬底上的第二栅电极；位于所述第二栅电极上的第二栅绝缘层；位于所述第二栅绝缘层上的氧化物半导体层；以及电连接至所述氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极彼此电连接，且其中所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个电连接至所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个。