一种沟槽肖特基二极管终端结构

摘要

本实用新型公开了一种沟槽肖特基二极管终端结构，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧还设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽，且所述第一沟槽的一侧设有一终端环结构。本实用新型由于第一沟槽对N型硅外延层的耗尽作用，第一沟槽的N型硅外延层的表面会形成耗尽层，随着反向电压增大，耗尽层会向硅表面深处(横向，纵向)扩展，使相邻沟槽间耗尽层相连，等同于在纵向上的耗尽层显著增加，从而增大了器件的反向耐压能力，同时减小了漏电流，而在器件的边缘部分增加一个终端环，用于改善器件的耐压和可靠性性能。

主权项

一种沟槽肖特基二极管终端结构，其特征在于，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽及一终端环结构。