硅基低漏电流悬臂梁栅MOSFET或非门的RS触发器

摘要

本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOSFET或非门的RS触发器包括由第一悬臂梁栅NMOS管(1)和第二悬臂梁栅NMOS管(2)组成的第一或非门(G1)，由第三悬臂梁栅NMOS管(3)和第四悬臂梁栅NMOS管(4)组成的第二或非门(G2)，每个或非门串接一个电阻(5)，该RS触发器制作在P型硅衬底(13)上，四个悬臂梁栅(8)即NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层(7)之上，用Al制作而成；悬臂梁栅(8)的一端固定在锚区(9)上，另一端悬浮在二氧化硅层(7)之上；下拉电极在悬臂梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；该RS触发器依靠锚区的支撑悬浮在二氧化硅层上方；使本发明中的RS触发器具有较小的直流漏电流。

主权项

一种硅基低漏电流悬臂梁栅MOSFET或非门的RS触发器，其特征在于该触发器包括由第一悬臂梁栅NMOS管（1）和第二悬臂梁栅NMOS管（2）组成的第一或非门（G1），由第三悬臂梁栅NMOS管（3）和第四悬臂梁栅NMOS管（4）组成的第二或非门（G2），每个或非门串接一个电阻（5），该RS触发器制作在P型硅衬底（13）上，四个悬臂梁栅（8）即NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层（7）之上，用Al制作而成；悬臂梁栅（8）的一端固定在锚区（9）上，另一端悬浮在二氧化硅层（7）之上，锚区（9）用多晶硅制作在二氧化硅层（7）上，N+有源区（10）是NMOS管的源极和漏极，源极和漏极通过通孔（11）与引线（6）连接，下拉电极（12）在悬臂梁栅（8）下的部分被二氧化硅层（7）覆盖；其中第一或非门（G1）的输出端通过导线与第二或非门（G2）的一个输入端相接，同样第二或非门（G2）的输出端也通过导线与第一或非门（G1）的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是SD和RD，以及两个输出端Q和Q'。