发明名称 |
硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr<sub>3</sub>Al<sub>3</sub>Si<sub>13</sub>O<sub>2</sub>N<sub>21</sub>荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种具有高亮度的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末,还提供了可以用于真空荧光显示器(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)或发白光的二极管(LED)等中的Sr<sub>3</sub>Al<sub>3</sub>Si<sub>13</sub>O<sub>2</sub>N<sub>21</sub>荧光体和β-赛隆荧光体,以及这些荧光体的制备方法。所述硅氮化物荧光体用氮化硅粉末是晶体氮化硅粉末,其被用作生产包含硅元素、氮元素和氧元素的硅氮化物荧光体的原料,且其平均粒径为1.0μm~12μm、氧含量为0.2重量%~0.9重量%。 |
申请公布号 |
CN103068728B |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201180040155.2 |
申请日期 |
2011.07.29 |
申请人 |
宇部兴产股份有限公司 |
发明人 |
藤永昌孝;酒井拓马;治田慎辅 |
分类号 |
C01B21/068(2006.01)I |
主分类号 |
C01B21/068(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种硅氮化物荧光体用氮化硅粉末,所述氮化硅粉末为由α型氮化硅粉末构成的晶体氮化硅粉末,其被用作制备包含硅元素、氮元素和氧元素的硅氮化物荧光体的原料,所述α型氮化硅粉末的平均粒径为1.0μm~12μm,氧含量为0.2重量%~0.9重量%,比表面积为0.2m<sup>2</sup>/g~4.0m<sup>2</sup>/g。 |
地址 |
日本山口县 |