硅发光器件及其制造方法

摘要

发光器件（10）包括主体（11），主体（11）包括p型半导体材料的衬底（12）。衬底具有上表面（14），并且根据体半导体制造工艺利用横向有源区隔离技术在该上表面的一侧在衬底中形成有：n⁺型类的第一岛（16），以在第一岛和衬底之间形成第一结（24）；与第一岛（16）横向间隔开的n⁺型的第二岛（18）。衬底提供在两个岛之间横向延伸且具有上表面的链路（20）。链路的上表面、岛（16）的上表面以及岛（18）的上表面共同形成位于主体（11）和器件的隔离层（19）之间的平面界面（21）。该器件包括端子布置，以向第一结施加反向偏置，从而使器件发光。该器件被配置为有助于所发射的光的传输。

主权项

一种发光器件，包括：‑主体，包括具有第一掺杂浓度的第一掺杂类型的半导体材料的衬底；‑所述衬底具有上表面，并且根据体半导体制造工艺，利用使用隔离材料主体的横向有源区隔离技术，在该上表面的一侧在衬底中形成有：‑具有第二掺杂浓度的第二掺杂类型的第一岛，以在第一岛和衬底之间形成第一结，第一岛具有上表面；‑具有第三掺杂浓度的第三掺杂类型的第二岛，第二岛与第一岛横向间隔开，从而第一岛具有第一面并且第二岛具有第二面，第一面和第二面彼此面对，并且第二岛具有上表面；‑所述衬底提供在第一面和第二面之间横向延伸的链路，该链路的上表面与衬底的上表面重合，从而该链路的上表面、第一岛的上表面和第二岛的上表面共同形成位于所述主体和器件的隔离层之间的平面界面；‑在彼此面对的第一面和第二面之间延伸的所述链路的相对两侧，所述相对两侧被所述隔离层终止；‑连接到主体的端子布置，该端子布置被配置为向第一结施加反向偏置以引起第一结的击穿模式，从而使得所述器件发光；并且‑所述器件被配置为在所述器件的一个区域中有助于所发出的光的传输，该区域在衬底的上表面的另一侧从包括第一面和从第一面延伸到所述链路中的耗尽区的至少一部分中的至少之一的地带垂直地延伸开。