具有间隙挡块的微机电系统（MEMS）及其制造方法

摘要

一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。

主权项

一种形成微机电系统(MEMS)的方法，包括：提供封盖衬底；提供支撑衬底；在所述支撑衬底上沉积导电材料；图案化所述导电材料以留下形成间隙挡块和触点的导电部分，其中所述间隙挡块通过开口与所述触点分隔；在所述触点上以及所述开口中形成键合材料，其中所述间隙挡块和所述触点防止所述键合材料延伸到所述开口外；以及通过形成所述键合材料的步骤将所述封盖衬底附接至所述支撑衬底；其中形成所述键合材料包括：在所述导电材料上形成半导体层；以及加热所述封盖衬底以及所述半导体层以形成所述键合材料并将所述封盖衬底键合至所述支撑衬底；以及进一步包括在所述导电材料上形成堆叠，其中形成所述半导体层的步骤是形成所述堆叠的步骤的一部分；在所述导电部分上形成所述堆叠的步骤进一步包括：在所述导电部分上形成包括硅的籽晶层；以及在所述籽晶层上形成包括硅和锗的第一层；以及其中形成所述半导体层的步骤进一步包括在所述第一层上形成包括锗的第二层。