| 发明名称 | 光伏电池和光伏电池制造方法 | ||
| 摘要 | 光伏电池制造方法包括：在第一硅基底上沉积用于进行晶格驰豫的第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积第一光电转换单元，第一光电转换单元是用包括pn结的化合物半导体形成的，并且第一光电转换单元具有比硅的晶格常数高的晶格常数；将支持基底连接至第一光电转换单元以形成第一层状体；和从第一层状体除去第一缓冲层以及第一硅基底。 | ||
| 申请公布号 | CN104937727A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201380071183.X | 申请日期 | 2013.11.25 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 佐藤俊一;西山伸彦 |
| 分类号 | H01L31/06(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/06(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 光伏电池制造方法，包括：在第一硅基底上沉积用于进行晶格驰豫的第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积第一光电转换单元，第一光电转换单元是用包括pn结的化合物半导体形成的，并且第一光电转换单元具有比硅的晶格常数高的晶格常数；将支持基底连接至第一光电转换单元以形成第一层状体；和从第一层状体除去第一缓冲层和第一硅基底。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||