发明名称 一种温流室出气的可控温加热盘
摘要 一种温流室出气的可控温加热盘,包括设有中心进气管路及气体出口的加热盘。所述加热盘的内部分布有加热丝及在中心所设置的导热介质储存及稳流空间的稳流室。上述稳流室可采用铸造、焊接或预埋管路的结构方式。上述气体出口沿加热盘的圆周均匀分布。可通过温流室结构消除导热介质进入腔室时因进气压力或流量过大而产生的流场扰动或冲击,降低晶圆被吹偏离而发生滑片,碰撞、或均匀度降低等问题。从而使热传导效率提高,使得导热介质能够直接、快速、均匀的分布在加热盘与晶圆之间,以实现对晶圆温度的快速准确控制。进一步提高晶圆的成品率及半导体沉积设备的生产效率。
申请公布号 CN104928651A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201510206537.8 申请日期 2015.04.27
申请人 沈阳拓荆科技有限公司 发明人 陈英男;姜崴;郑旭东;关帅
分类号 C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/46(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃;霍光旭
主权项 一种温流室出气的可控温加热盘,其特征在于:它包括设有中心进气管路及气体出口的加热盘,所述加热盘的内部分布有加热丝及在中心所设置的导热介质储存及稳流空间的稳流室。
地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层