| 摘要 |
<p>본 발명은 결정 구조를 가지는 단결정 반도체 기판을 제공하는 단계 - 기판의 적어도 일부는 기판 상에 시드 라인을 생성하기 위한 적어도 하나의 개구부를 가지는 마스크 층에 의해 커버됨 -; 반도체 성장이 실질적으로 시드 라인을 오버랩하는 것을 방지하는 표면 조건을 가지는 플레이트를 배치하는 단계 - 플레이트와 기판은 거리에 의해 분리됨 -; 적어도 하나의 용융된 금속 내 반도체의 포화 용액을 포함하는 성장액으로 플레이트와 기판을 둘러싸는 단계; 온도로 가열된 용광로에 플레이트와 기판을 배치하고, 용광로의 온도를 감소시켜 포화된 용액으로부터 반도체의 석출을 촉진하고 시드 라인을 따라 기판 상의 반도체의 에피택시 성장을 유도하는 단계를 포함하고 플레이트는 수직 방향에서 에피택시 성장을 제한하도록 이용되는 측면 확산 액상 에피택시에 의해, 반도체 물질을 성장시키기 위한 방법에 관련된다.</p> |
