发明名称 局部抛光半导体晶圆的方法
摘要
申请公布号 TWI501303 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW099116085 申请日期 2010.05.20
申请人 世创电子材料公司 发明人 史却汪德纳 尤尔根
分类号 H01L21/304;B24B37/04 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼
主权项 一种用于局部抛光半导体晶圆一侧的边缘的方法,其中藉由一可旋转抛光头压着该半导体晶圆,将其待抛光的一侧面对着一位于一旋转抛光板上并含有坚固黏合研磨物的抛光垫,其中该抛光头具有一弹性膜且藉由气垫或液垫而同心地(concentrically)细分成复数个腔室,并且可对各腔室相异地选择所施加的抛光压力,其中在此过程中该半导体晶圆系藉由一扣环(retainer ring)保持在原位,该扣环同样也用一施加压力压着该抛光垫,其中于该半导体晶圆和该抛光垫之间导入一抛光剂,并且施加于在位于半导体晶圆边缘区域之腔室中之半导体晶圆上的抛光压力系高于在内侧区域之压力,以及该扣环之该施加压力为0.5磅/平方英寸至10磅/平方英寸。
地址 德国