| 主权项 |
一种氮化物半导体元件，其特征为具备：下底构造部，被形成于前述下底构造部上的，至少具有n型AlGaN系半导体层与p型AlGaN系半导体层之元件构造部，被形成于前述n型AlGaN系半导体层上的n电极接触部，被形成于前述n电极接触部上的n电极垫部，以及被形成于前述p型AlGaN系半导体层上的p电极；前述n型AlGaN系半导体层之AlN莫耳分率为20%以上，前述n电极接触部，系以1层以上的金属层构成，前述p电极之全层的层积构造与前述n电极垫部之全层的层积构造，系完全相同的层积构造，于最上层有Au层，在比前述最上层更为下侧具有由导电性金属氧化物所构成的防止Au的扩散之Au扩散防止层的2层以上的共通层积构造。
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