| 主权项 |
一种薄膜电晶体构造，系在基板上至少从基板侧开始，依序具备氧化物半导体层、源极和汲极电极、及保护膜之薄膜电晶体构造，其特征为：前述氧化物半导体层，系为第1氧化物半导体层，其由Zn-O制成、或由Zn和选自Al、Ga、Sn所构成之群组中之至少一元素的氧化物所制成，每一氧化物之Zn含有量占金属元素全体的50原子%以上，且形成于源极和汲极电极及保护膜侧；以及第2氧化物半导体层，其包含从In、Ga、及Zn所成之群体当中所选择之至少1种元素，且包含Sn，且形成于基板侧；之层积体，且前述第1氧化物半导体层，系与前述源极和汲极电极及保护膜直接接触。
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