制造半导体元件之方法及设备、及半导体元件

主权项

一种制造半导体元件的方法，该半导体元件包含一基材、一半导体层以及至少一个金属化层，该至少一个金属化层邻接选自该基材与该半导体层的至少一个元件，该方法包括以下步骤：配置一基材进入一制程腔室，该制程腔室具有一溅射靶材；藉由下列步骤形成该至少一个金属化层于该基材上，该至少一个金属化层包括一氧浓度梯度：藉由供应一含氧气体进入该制程腔室并自该溅射靶材溅射一第一金属化材料至该基材上，而形成一厚度为2奈米至30奈米的阻挡/黏着层；藉由不自该制程腔室移除该基材并停止供应该含氧气体并自该溅射靶材溅射一第二金属化材料至该基材上，而接续着形成一金属层。