| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Drucksensor (100) mit einem Substrat (102) und einer Transistorstruktur (104). Das Substrat (102) weist eine in das Substrat (102) eingebrachte Kavität (106) auf. Die Transistorstruktur (104) ist über der Kavität (106) angeordnet. Die Transistorstruktur (104) weist eine biegsame Heterostruktur (108) und je zumindest einen elektrisch leitend mit der Heterostruktur (108) verbundenen Sourcekontakt (110) und Drainkontakt (112) sowie einen Gatekontakt (114) auf. Die Heterostruktur (108) ist dazu ausgebildet, eine Position entsprechend einem Druckverhältnis zwischen einem ersten Druck in der Kavität (106) und einem zweiten Druck auf einer der Kavität gegenüberliegenden Seite der Heterostruktur (108) einzunehmen. Die Transistorstruktur (104) ist dazu ausgebildet, ein elektrisches Signal entsprechend der Position bereitzustellen.</p> |
