| 发明名称 | 半导体装置中的无电镍及金镀敷 | ||
| 摘要 | 一种所描述的实例半导体装置包含在半导体衬底(210)及金属接触垫(220)的一部分上形成的钝化层(230)。使用ENIG无电镀敷工艺，将镍沉积于所述钝化层及金属接触垫上，且将金沉积于所述镍上。所述镍包含在所述镍与所述钝化层的界面(180)处及在所述镍与所述钝化层及金属接触垫的结(290)处的无多孔镍的第一无孔镍区域(层250A)。所述镍还包含在第一镍层(250A)上的多孔镍区域(层270)。金区域(层260)在多孔镍层(270)上。第二无孔镍区域(层250B)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。富含金的镍区域(275)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。对所沉积镍与所沉积金的相对厚度进行选择以防止在无电金镀敷工艺期间镍层的腐蚀到达装置层。 | ||
| 申请公布号 | CN102782824B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201080065192.4 | 申请日期 | 2010.12.14 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 胡安·亚力杭德罗·赫布佐默;奥斯瓦尔多·洛佩斯 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：衬底；金属接触垫，其在所述衬底上形成；钝化层，其在所述衬底上及在所述金属接触垫的一部分上形成；及镍及金的无电镀敷层，其在所述金属接触垫及钝化层上形成；其中所述镍及金的无电镀敷层包含：在所述镍与所述钝化层的界面处及在所述镍与所述钝化层及金属垫的结处的无多孔镍的第一无孔镍区域；在所述第一无孔镍区域上的多孔镍区域；及在所述多孔镍区域上的金区域。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||