定向磊晶之异质接面双极性电晶体结构

摘要

一种定向磊晶之异质接面双极性电晶体结构，是直接或间接成长在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上，包含在基板上由下而上依序堆叠的次集极层、基极层、射极层，射极盖层及欧姆接触层，其中射极层为N型能隙大于基极层之III-V族半导体。此外，还可进一步包含夹在集极层及基极层之间的穿隧集极层，是由磷化铟镓(InGaP)或砷磷化铟镓(InGaAsP)形成。本发明是在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上成长，倾斜的角度为0.6°~25°，皆能在一般制程范围内轻易达成，使铟与镓在<111>方向上达到很有序的排列，缩小基极-射极接面与基极-穿隧集极接面导电带之不连续，增进整体电气特性。