| 发明名称 | 等离子体处理装置和薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种能够在薄膜晶体管的制造步骤中抑制腐蚀的发生并且对含有铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)实施等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(21)具备用于载置基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)进行处理容器(21)内的真空排气，从氢气供给部(262)供给作为等离子体产生用的气体的氢气。等离子体发生部(24)将上述等离子体产生用的气体等离子体化，进行在含有铝的金属膜的上层侧形成被图案化的抗蚀剂、通过含有氯的蚀刻气体对上述金属膜进行了蚀刻处理的基板的处理。 | ||
| 申请公布号 | CN104916534A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510106294.0 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 藤永元毅;宇贺神肇 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其用于对形成有薄膜晶体管的基板实施等离子体处理，所述等离子体处理装置特征在于，包括：设有用于载置基板的载置的载置台，进行对所述基板的等离子体处理的处理容器；进行所述处理容器内的真空排气的真空排气部；对所述处理容器内供给作为等离子体产生用的气体的氢气的氢气供给部；和用于使供给到所述处理容器内的等离子体产生用的气体等离子体化的等离子体发生部，所述基板是在含有铝的金属膜的上层侧形成图案化的抗蚀剂膜、通过含有氯的蚀刻气体对所述金属膜进行了蚀刻处理而得到的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||