发明名称 具有隔离绝缘层的半导体元件及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ISOLATION INSULATING LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 本发明概念提供半导体元件以及制造半导体元件的方法。本发明概念的半导体元件可包含:鳍型区,其包括第一鳍型子区以及第二鳍型子区,第一鳍型子区以及第二鳍型子区藉由安置于其间的隔离绝缘层彼此分离且隔离;第一闸极,其与第一鳍型子区相交;第二闸极,其与第二鳍型子区相交;以及第三闸极,其与隔离绝缘层相交。
申请公布号 TW201535730 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW104101609 申请日期 2015.01.19
申请人 三星电子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 申宪宗 SHIN, HEONJONG;金成玟 KIM, SUNGMIN;金秉瑞 KIM, BYUNGSEO;朴 善钦 PAAK, SUNHOM STEVE;裵贤俊 BAE, HYUNJUN
分类号 H01L29/772(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/772(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 南韩 KR