一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

摘要

本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内壁涂上一层氮化硅后，在坩埚底部铺垫一层多孔材料，然后在多孔材料上填装硅料；将填装有硅料的坩埚加热，使硅料熔化形成硅熔体，再调整热场，使硅熔体开始形核结晶；待硅熔体界面向远离所述坩埚底部的方向移动，定向结晶凝固完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用该制备方法能使多晶硅锭得到良好的初始形核，降低多晶硅锭在生长过程中的位错繁殖。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。

主权项

一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内壁涂上氮化硅涂层后，在所述坩埚底部铺垫一层多孔材料，然后在所述多孔材料上填装硅料，所述多孔材料为氮化硅、碳化硅或石英；加热所述填装有硅料的坩埚，使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体开始形核结晶；待硅熔体界面向远离所述坩埚底部的方向移动，定向结晶凝固完后，经退火冷却得到多晶硅锭；其中，所述的调整热场使硅熔体开始形核结晶的方式为：使硅熔体的温度降低形成过冷状态，形核结晶；在所述填装硅料之前还包括，在所述多孔材料上方铺垫一层硅碎料；所述硅碎料的尺寸大小为0.1cm，所述硅碎料铺设厚度为0.5cm～5cm。