发明名称 | 生长锆钛酸铅单晶的方法 | ||
摘要 | 通过液相外延到具有合适的结构与晶格参数匹配的衬底上来实现锆钛酸铅(PZT)和其它钙钛矿的单晶的生长。需要用于稳定生长的溶剂和特定生长条件以实现Zr与Ti的所需比例。 | ||
申请公布号 | CN104919093A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
申请号 | CN201380067374.9 | 申请日期 | 2013.12.02 |
申请人 | 奎斯特综合股份有限公司 | 发明人 | V·弗拉泰洛 |
分类号 | C30B7/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B7/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
主权项 | 使用液相外延来生长锆钛酸铅(PZT)单晶的方法,该锆钛酸铅(PZT)单晶具有包含<img file="FDA0000742977600000011.GIF" wi="1145" he="82" />和<img file="FDA0000742977600000012.GIF" wi="54" he="68" /><img file="FDA0000742977600000013.GIF" wi="490" he="77" />或b=a的室温PZT晶格参数,该方法包括:在溶液中提供衬底,其中该衬底具有钙钛矿晶体结构和生长平面中的一个或多个周期性重复距离,所述周期性重复距离是2%以内的相同晶体取向的PZT周期性重复距离的整数倍,并且其中该溶液包含溶剂和溶质,并且其中该溶质包含PZT或PZT前体PbO、TiO<sub>2</sub>、ZrO<sub>2</sub>、PbZrO<sub>3</sub>(PZ)和PbTiO<sub>3</sub>(PT);和使用液相外延由该溶液使PZT单晶生长到该衬底上,其中该溶液的温度保持在恒定生长温度的25℃内。 | ||
地址 | 美国华盛顿 |