发明名称 薄膜式按键结构及薄膜式键盘
摘要 本实用新型公开一种薄膜式按键结构及薄膜式键盘。薄膜式按键结构包括下薄膜、上薄膜及压力感测薄膜。下薄膜包括下接点。上薄膜铺设于下薄膜上方,用以受外力挤压来产生形变并朝下接点接近,并且上薄膜包括上接点,上接点与下接点导接时上接点触发数字信号。压力感测薄膜设置于上薄膜上方,与上薄膜及下薄膜堆栈,并且包括感测区。感测区用以依据外力的大小改变阻抗,并触发对应阻抗的模拟信号。感测区、上接点及下接点是垂直对齐的。本实用新型的薄膜式按键结构及薄膜式键盘可输出数字信号及对应用户按压按键的力量的模拟信号,而具有更佳的实用性。
申请公布号 CN204652339U 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201520379694.4 申请日期 2015.06.04
申请人 洛卡特股份有限公司 发明人 瑞内·科尔特
分类号 H03K17/96(2006.01)I;G06F3/02(2006.01)I 主分类号 H03K17/96(2006.01)I
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人 毛广杰
主权项 一种薄膜式按键结构,其特征在于,该薄膜式按键结构包括:一下薄膜,包括一下接点;一上薄膜,铺设于该下薄膜上方,受一外力挤压来产生形变并朝该下接点接近,并且该上薄膜包括一上接点,该上接点与该下接点导接时该上接点触发一数字信号;及一压力感测薄膜,与该上薄膜及该下薄膜堆栈,包括一感测区,该感测区依据该外力的大小改变一阻抗,并触发对应该阻抗的一模拟信号;其中该感测区、该上接点及该下接点是垂直对齐的。
地址 德国汉堡市保罗德绍路3G22761奥托冯巴尔公园