| 摘要 |
<p>본 발명은, 전계 효과 트랜지스터용 에피택셜 기판을 제공한다. 전계 효과 트랜지스터용 에피택셜 기판은, 하지 기판과 동작층 사이에, Ga를 포함하는 질화물계 3-5족 반도체 에피택셜 결정이 마련되고, 질화물계 3-5족 반도체 에피택셜 결정은, (i), (ii) 및 (iii)을 포함한다. (i) Ga 또는 Al을 포함하고, 주기율표에 있어서 Ga와 동일한 주기에 있으며 또한 원자 번호가 작은 보상 불순물 원소가 첨가된 고저항 결정층을 포함하는 제1 완충층, (ii) 제1 완충층의 동작층측에 적층된 Ga 또는 Al을 포함하는 제2 완충층, (iii) 고저항 결정층과 동작층 사이에 마련된, 무첨가 혹은 공핍 상태를 유지할 수 있을 정도의 미량 억셉터 불순물을 함유하는 고순도 에피택셜 결정층.</p> |
