PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法

摘要

PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法，本发明具体涉及PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法。它为了解决高速数据流盘对I/O速率要求很高，无法最大限度提高Nand Flash阵列的存取速度，Nand Flash存取速率与PXI Express高速接口速率不匹配的问题。该方法为：采用三级加速编程的方式对Nand Flash编程，在每个最小控制单元的编程序列中加入一级预编程操作，使得每个最小控制单元的第n+1次编程操作都能够滞后于第n次编程操作；从4片Nand Flash芯片中读取数据的过程，实现数据读取的流水线加速。本发明适用于测试领域。

主权项

PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法，其特征在于：所述的PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法是基于将4片Nand Flash芯片并联组成4个最小控制单元实现的，4个最小控制单元涉及4片Nand Flash芯片，每个最小控制单元均可控制4片Nand Flash芯片，每个Nand Flash芯片的控制线共用，I/O线并联，每个Nand Flash芯片包括Nand Flash芯片内部的寄存器和存储阵列，该方法它包括下述步骤：步骤一、Nand Flash编程：采用三级加速编程的方式对Nand Flash编程，在每个最小控制单元的编程序列中加入一级预编程操作，使得每个最小控制单元的第n+1次编程操作都能够滞后于第n次编程操作，其中，n为整数；步骤二、Nand Flash读取：从4片Nand Flash芯片中读取数据的过程为：在最小控制单元1的读寄存器操作期间最小控制单元2进行读阵列操作，最小控制单元2读寄存器操作期间最小控制单元3进行读阵列操作，最小控制单元3读寄存器操作期间最小控制单元4进行读阵列操作，实现数据读取的流水线加速。