半导体设备承载区域的硅片分布状态组合检测方法及装置

摘要

一种半导体设备承载区域的硅片分布状态组合检测方法及装置，在位于硅片组上方的承载器端盖内表面，设置有与端盖中心对称的两条平行滑轨，在轨道的相对位置设置有第一和第二光电传感器组/超声波传感器组；在位于硅片承载器圆周侧边的机械手U形端部相对位置上，设置有第三和第四光电传感器组；且承载器和机械手间可以作相对旋转和/或定位的运动；在第一检测子阶段的自接收模式下，执行硅片凸片的异常状态极限位置预扫描指令；通过在第二和第三检测子阶段的互接收模下，执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令和执行硅片分布状态异常扫描指令，对硅片发生处于凸片、叠片、斜片或无片等异常分布状态进行扫描检测，且在承载器的周围布设多个扫描检测点，进一步地提高了检测精度。

主权项

一种半导体设备承载区域的硅片分布状态组合检测方法，其特征在于，在位于硅片组上方的承载器端盖内表面，设置有与所述端盖中心对称的两条平行滑轨，在所述轨道的相对位置，设置有第一和第二光电传感器组/超声波传感器组，每组所述光电传感器包括发射端和接收端；在位于硅片承载器圆周侧边的机械手U形端部相对位置上，设置有第三和第四光电传感器组，每组所述光电传感器组包括发射端和接收端；所述方法包括以下步骤：步骤S1、设定第一和第二光电传感器组/超声波传感器组及机械手的运动初始化参数并执行初始化，其中，所述初始化参数包括所述光电传感器组水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置；机械手水平和/或垂直扫描运动速度，硅片的间隔距离、每一次机械手水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置及终止点位置；步骤S2、执行硅片凸片的异常状态极限位置预扫描指令；其具体包括：步骤S21：所述第一和第二光电传感器组/超声波传感器组定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置，并将所述第一和第二光电传感器组/超声波传感器组的工作模式设置成自接收模式；步骤S22：根据第一和/或第二光电传感器组各自沿硅片层叠的垂直方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则，判断硅片是否存在突出规定位置的异常状态，如果是，执行步骤S24；否则，执行步骤S23；步骤S23：控制所述第一和第二光电传感器组/超声波传感器组沿承载区中心方向同步前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S4；否则，执行步骤S22；步骤S24：测量阻挡光束传播路径上障碍物距离，得到存在突出状态硅片的位置参数，发出凸片异常报警信息，执行步骤S3；步骤S3：执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令；其具体包括：步骤S31：所述机械手定位下降至所述存在突出状态硅片的位置；将所述第三和第四光电传感器组的工作模式设置成互接收模式，判断所述位置是否是上或下垂直终止点位置；如果是，控制所述机械手沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，执行步骤S33；如果不是，执行步骤S32；步骤S32：所述机械手依序下降或上升一个硅片的间隔距离；步骤S33：根据第三和第四光电传感器组间相互水平发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S35；否则，判断该位置是否是上/下垂直终止点位置；如果不是，执行步骤S32；如果是，执行步骤S34；步骤S34；机械手沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断该位置是否是超出水平终止点位置；如果是，执行步骤S4；否则，执行步骤S33；步骤S35：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S32；步骤S4：执行硅片分布状态异常扫描指令，根据第三和第四光电传感器组间相互发射和接收的反馈值在扫描检测区域内光信号强度的分布状态，判断是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态。