多晶硅的清洗方法和清洗装置，以及多晶硅的制造方法

摘要

多晶硅的清洗方法，其是具有利用酸液的酸洗工序、和在该酸洗工序后用纯水清洗的水洗工序的多晶硅的清洗方法，在该水洗工序中，将上述多晶硅浸渍在贮存了纯水的水洗槽中，更换上述水洗槽内的纯水至少1次以上，以除去上述多晶硅的表面残留的上述酸液，同时测量上述水洗槽中纯水的电导率(C)，根据上述电导率(C)的测量值来判断上述水洗工序的结束。

主权项

多晶硅的清洗方法，其是具有利用酸液的酸洗工序、和在该酸洗工序后用纯水清洗的水洗工序的多晶硅的清洗方法，其中，在该水洗工序中，将上述多晶硅浸渍在贮存了纯水的水洗槽中，更换上述水洗槽内的纯水至少1次以上，以除去上述多晶硅的表面残留的上述酸液，同时更换上述纯水并将上述多晶硅在纯水中以浸渍状态静置，然后经过至少2小时后测量上述水洗槽中纯水的电导率C，在上述电导率C变为2μS/cm以下、硝酸浓度小于0.1mg/L后结束上述水洗工序，上述水洗槽具备：自上述水洗槽排出纯水的排水装置；向上述水洗槽内供给新的纯水的纯水供给装置；测量上述水洗槽内贮存的纯水的电导率的电导率测量装置；在上述水洗槽内的底部固定的筐托架和收纳上述多晶硅支撑于上述筐托架的载置面上的筐，上述电导率C的测定是通过电导率测量装置的测量传感器进行的，所述电导率测量装置的测量传感器设置在上述水洗槽内的与上述排水装置的排水口分离的上述纯水供给装置的给水口附近，将上述水洗槽的底面以上述纯水供给装置侧的端部向上述排水装置侧的端部形成下行梯度的方式倾斜而配置，且上述筐托架的载置面沿上述水洗槽的宽度方向倾斜，进行排水所述酸液使用以硝酸为主要成分、往其中加入了少量氢氟酸的混合酸液。