写入到自旋矩磁随机存取存储器的方法

摘要

用于确定对于自旋矩磁随机存取存储器的低写入错误率操作的优化的写入模式的方法。该方法提供优化写入错误率而不会影响存储器速度的方式。该方法包括一个或多个写入脉冲。脉冲可以在幅值、持续时间，以及形状方面独立。各种示例性实施例基于存储器操作条件，例如，操作温度，来调整写入模式。

主权项

一种确定用于写入到自旋矩磁阻存储器阵列中的多个比特的写入模式的方法，所述方法包括：根据所述阵列的设计要求，确定写入电压；确定写入脉冲的数量，其是对于预定写入时间以及最小化对于所述数量的比特的写入错误率所需要的，其中，写入脉冲的所述数量是至少一个；以及将所确定的数量的写入脉冲应用到所述阵列。