一种3D磁传感器的制作方法

摘要

本发明揭示了一种3D磁传感器的制作方法，在半导体衬底上形成绝缘层后，制作绝缘层沟壑，然后依次沉积磁性材料层、TaN层、刻蚀阻挡层以及填充材料层和图案化的光刻胶层，然后对刻蚀阻挡层和部分TaN层进行垂直刻蚀，对剩余的TaN层进行各向同性刻蚀。本发明将现有技术中刻蚀TaN层和刻蚀阻挡层的工艺步骤改变为先对刻蚀阻挡层与部分TaN层进行垂直刻蚀，保证沟壑的形状平整，减少侧壁的粗糙度。然后使用较小的偏压功率对剩余的TaN层进行各向同性刻蚀，这种刻蚀方式可以使溅射的聚合物均匀分布，减少聚合物堆积，更有利于被刻蚀掉，从而达到消除聚合物沉积的目的，这样减少也就避免了对机台的污染，从而提高了工艺良率。

主权项

一种3D磁传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：提供一个衬底，在所述衬底上沉积绝缘层，并在绝缘层中制作沟壑，所述沟壑的深度小于所述绝缘层的厚度；步骤二：在所述绝缘层表面依次沉积磁性材料层、TaN层、刻蚀阻挡层；步骤三：在所述刻蚀阻挡层上沉积填充材料层，所述填充材料层填充沟壑；步骤四：在所述填充材料层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述填充材料层；步骤五：以所述图案化的光刻胶层和填充材料层为掩膜，对刻蚀阻挡层和部分TaN层进行垂直刻蚀；步骤六：对剩余的TaN层进行各向同性刻蚀，偏压功率为20W～40W，气体流量为50sccm～150sccm；步骤七：去除所述图案化的光刻胶层，并清洗表面。