发明名称 基板处理装置及半导体装置的制造方法以及记录媒体
摘要 本发明的课题是藉由形成每1循环抑制残留物残留的层来形成高品质的薄膜。其解决手段系提供一种具有下列构成的技术,处理室,其系具有第1处理领域、第2处理领域及第3处理领域,在第1处理领域内、第2处理领域内及第3处理领域内处理基板;旋转机构,其系使载置基板的基板载置台旋转;处理气体供给系,其系对第1处理领域内供给原料气体,对第2处理领域内供给反应气体,对第3处理领域内供给改质气体;反应气体电浆生成部,其系于第2处理领域内生成反应气体的电浆;改质气体电浆生成部,其系于第3处理领域内生成改质气体的电浆;及控制部,其系构成为分别控制旋转机构、处理气体供给系、反应气体电浆生成部及改质气体电浆生成部。
申请公布号 TW201535570 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW104105041 申请日期 2015.02.13
申请人 日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 山本克彦 YAMAMOTO, KATSUHIKO;平佑树 TAIRA, YUKI
分类号 H01L21/67(2006.01);H01L21/673(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP