发明名称 |
基板处理装置及半导体装置的制造方法以及记录媒体 |
摘要 |
本发明的课题是藉由形成每1循环抑制残留物残留的层来形成高品质的薄膜。其解决手段系提供一种具有下列构成的技术,处理室,其系具有第1处理领域、第2处理领域及第3处理领域,在第1处理领域内、第2处理领域内及第3处理领域内处理基板;旋转机构,其系使载置基板的基板载置台旋转;处理气体供给系,其系对第1处理领域内供给原料气体,对第2处理领域内供给反应气体,对第3处理领域内供给改质气体;反应气体电浆生成部,其系于第2处理领域内生成反应气体的电浆;改质气体电浆生成部,其系于第3处理领域内生成改质气体的电浆;及控制部,其系构成为分别控制旋转机构、处理气体供给系、反应气体电浆生成部及改质气体电浆生成部。 |
申请公布号 |
TW201535570 |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
TW104105041 |
申请日期 |
2015.02.13 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. |
发明人 |
山本克彦 YAMAMOTO, KATSUHIKO;平佑树 TAIRA, YUKI |
分类号 |
H01L21/67(2006.01);H01L21/673(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/306(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |