半导体装置

摘要

本发明提供一种提高静电破坏耐受量的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包含第一半导体层及形成在所述第一半导体层上的第二半导体层。进而，所述装置包含隔着第一绝缘膜而形成在所述第一半导体层上的第一控制电极。进而，所述装置包含第二控制电极，所述第二控制电极隔着第二绝缘膜而形成在所述第一半导体层上，且所述第二绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离大于所述第一控制电极的所述第一绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离。进而，所述装置包含将所述第一控制电极与所述第二控制电极电连接的配线。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包含：第一半导体层；第二半导体层，其形成在所述第一半导体层上；第一控制电极，其隔着第一绝缘膜而形成在所述第一半导体层上；第二控制电极，其隔着第二绝缘膜而形成在所述第一半导体层上，且所述第二绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离大于所述第一控制电极的所述第一绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离；以及配线，其将所述第一控制电极与所述第二控制电极电连接。