发明名称 一种高压启动电路
摘要 本发明提供一种高压启动电路,包括高压转低压模块及低压转输出电压模块,其中,所述高压转低压模块包括:一第一电阻、一第二电阻和一第三电阻;一第一MOS管,其栅极接收外围输入的使能电压信号,源极通过所述第一电阻接地,漏极通过所述第二电阻连接至一高压电源;一电流镜单元,其基准端连接至所述第一MOS管的漏极,输出端通过所述第三电阻接地;以及一齐纳二极管,其并联在所述第三电阻的两端;所述低压转输出电压模块包括一第四MOS管,其栅极连接至所述第三MOS管的漏极,漏极连接至所述高压电源,源极接地。本发明的高压启动电路中的所有MOS管均可采用LV gate MOS管实现,与现有技术必须采用HV gate MOS管的高压启动电路相比,显然节省了成本。
申请公布号 CN104917382A 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201510404773.0 申请日期 2015.07.10
申请人 灿瑞半导体(上海)有限公司 发明人 罗立权;罗杰;李秋平
分类号 H02M3/155(2006.01)I 主分类号 H02M3/155(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 邓琪;余中燕
主权项 一种高压启动电路,其特征在于,包括高压转低压模块及低压转输出电压模块,其中,所述高压转低压模块包括:一第一电阻、一第二电阻和一第三电阻;一第一MOS管,其栅极接收外围输入的使能电压信号,源极通过所述第一电阻接地,漏极通过所述第二电阻连接至一高压电源;一电流镜单元,其基准端连接至所述第一MOS管的漏极,输出端通过所述第三电阻接地;以及一齐纳二极管,其并联在所述第三电阻的两端;所述低压转输出电压模块包括一第四MOS管,其栅极连接至所述第三MOS管的漏极,漏极连接至所述高压电源,源极接地。
地址 200081 上海市虹口区四川北路1717号1006室