| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103035703B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201210270679.7 | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 牧山刚三;冈本直哉;多木俊裕;美浓浦优一;尾崎史朗;宫岛丰生 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的氮化硅保护膜；以及形成于所述化合物半导体层上以填塞所述开口的电极，其中所述保护膜的下层部分包括从所述开口的侧表面突出的突出部分；其中所述保护膜形成为使得所述下层部分的氮空位的百分比大于化学计量条件下的氮化硅的氮空位的百分比，并且使得所述保护膜朝向顶部连续地接近化学计量条件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||