发明名称 熔断式微波限幅器
摘要 本发明公开了一种熔断式微波限幅器,用于雷达系统,其包括限幅器本体和熔断式电阻网络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传输线、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一端与输出传输线相接,所述第一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出传输线相连,所述第一电阻和所述第三电阻的另一端均接地线,在基本不增加尺寸的前提下提高了现有微波限幅器的性能而且永久保护后续电路,从而降低维护成本,而电阻网络结构能够和前后的电路端口阻抗匹配,不会使得微波电信号出现较大损耗。
申请公布号 CN104917481A 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201510315930.0 申请日期 2015.06.10
申请人 南京信息职业技术学院 发明人 张园;奚松涛
分类号 H03H7/38(2006.01)I;H02H3/42(2006.01)I 主分类号 H03H7/38(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 查俊奎;朱戈胜
主权项 熔断式微波限幅器,用于雷达系统,其特征在于,包括限幅器本体和熔断式电阻网络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传输线、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一端与输出传输线相接,所述第一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出传输线相连,所述第一电阻和所述第三电阻的另一端均接地线,所述输出传输线与限幅器本体的输入端相接,所述输入传输线作为熔断式微波限幅器的输入端,所述第一电阻的耐功率与第二电阻的耐功率之比不小于<img file="FDA0000735111070000011.GIF" wi="762" he="119" />所述第一电阻的耐功率与第二电阻的耐功率之比不大于<img file="FDA0000735111070000012.GIF" wi="821" he="123" />所述第二电阻的耐功率与第三电阻的耐功率之比不大于<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mfrac><mrow><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>*</mo><mi>R</mi><mn>1</mn></mrow><mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>:</mo><mfrac><mrow><mi>R</mi><mo>*</mo><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow><mo>*</mo><mi>R</mi><mn>1</mn></mrow><mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000735111070000013.GIF" wi="1373" he="138" /></maths>所述第二电阻的耐功率与第三电阻的耐功率之比不小于<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><mn>0.7</mn><mo>*</mo><mfrac><mrow><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>*</mo><mi>R</mi><mn>1</mn></mrow><mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>:</mo><mfrac><mrow><mi>R</mi><mo>*</mo><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow><mo>*</mo><mi>R</mi><mn>1</mn></mrow><mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>2</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>/</mo><mo>/</mo><mi>R</mi><mo>+</mo><mi>R</mi><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><mi>R</mi><mn>3</mn><mo>+</mo><mi>R</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000735111070000014.GIF" wi="1171" he="125" /></maths>其中R1为第一电阻的阻值,R2为第二电阻的阻值,R3为第三电阻的阻值,R为熔断式电阻网络结构的匹配负载,R3//R为第三电阻R3与匹配负载R并联后的等值计算的阻值。
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